Nackaerts, AxelAxelNackaertsErcken, MoniqueMoniqueErckenDemuynck, StevenStevenDemuynckLauwers, AnneAnneLauwersBaerts, ChristinaChristinaBaertsBender, HugoHugoBenderBoullart, WernerWernerBoullartCollaert, NadineNadineCollaertDegroote, BartBartDegrooteDelvaux, ChristieChristieDelvauxde Marneffe, Jean-FrancoisJean-Francoisde MarneffeDixit, AbhisekAbhisekDixitDe Meyer, KristinKristinDe MeyerHendrickx, EricEricHendrickxHeylen, NancyNancyHeylenJaenen, PatrickPatrickJaenenLaidler, DavidDavidLaidlerLocorotondo, SabrinaSabrinaLocorotondoMaenhoudt, MireilleMireilleMaenhoudtMoelants, MyriamMyriamMoelantsPollentier, IvanIvanPollentierRonse, KurtKurtRonseRooyackers, RitaRitaRooyackersVan Aelst, JokeJokeVan AelstVandenberghe, GeertGeertVandenbergheVandervorst, WilfriedWilfriedVandervorstVandeweyer, TomTomVandeweyerVanhaelemeersch, SergeSergeVanhaelemeerschVan Hove, MarleenMarleenVan HoveVan Olmen, JanJanVan OlmenVerhaegen, StafStafVerhaegenVersluijs, JankoJankoVersluijsVrancken, ChristaChristaVranckenWiaux, VincentVincentWiauxJurczak, GosiaGosiaJurczakBiesemans, SergeSergeBiesemans2021-10-152021-10-152004-12https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/9333A 0.314mm2 6T-SRAM cell built with tall triple-gate devices for 45nm node applications using 0.75NA 193nm lithographyProceedings paper