Moens, PeterPeterMoensVan den Bosch, GeertGeertVan den BoschWojciechowski, DominiqueDominiqueWojciechowskiBauwens, FilipFilipBauwensDe Vleeschouwer, HerbertHerbertDe VleeschouwerDe Pestel, FreddyFreddyDe Pestel2021-10-162021-10-162005-09https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/10897Charge trapping effects and interface state generation in a 40V lateral resurf pDMOS transistorProceedings paper