Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures

Routoure, J.M.J.M.RoutoureGuo, W.W.GuoCretu, B.B.CretuLartigau, I.I.LartigauCarin, R.R.CarinSimoen, EddyEddySimoenMercha, AbdelkarimAbdelkarimMerchaClaeys, CorCorClaeys2021-10-172021-10-172008https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/14401Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températuresOral presentation