Ferain, IsabelleIsabelleFerainSon, Nak JinNak JinSonWitters, LiesbethLiesbethWittersCollaert, NadineNadineCollaertOnsia, BartBartOnsiaKaczer, BenBenKaczerKauerauf, ThomasThomasKaueraufAdelmann, ChristophChristophAdelmannRichard, OlivierOlivierRichardFavia, PaolaPaolaFaviaBender, HugoHugoBenderVos, RitaRitaVosVan Elshocht, SvenSvenVan ElshochtLehnen, PeerPeerLehnenSan Tamer, KemalKemalSan TamerDe Meyer, KristinKristinDe MeyerBiesemans, SergeSergeBiesemansJurczak, GosiaGosiaJurczak2021-10-162021-10-162007https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/12152Metal gate technology using a Dy2O3 dielectric cap approach for multiple-VT in NMOS FinFETsProceedings paper