Kerber, AndreasAndreasKerberCartier, E.E.CartierPantisano, LuigiLuigiPantisanoRosmeulen, MaartenMaartenRosmeulenDegraeve, RobinRobinDegraeveKauerauf, ThomasThomasKaueraufGroeseneken, GuidoGuidoGroesenekenMaes, HermanHermanMaesSchwalke, U.U.Schwalke2021-10-152021-10-152003https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/7725Characterization of the Vt-instability un SiO2 HFO2 gate dielectricsProceedings paper