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Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures

dc.contributor.authorRoutoure, J.M.
dc.contributor.authorGuo, W.
dc.contributor.authorCretu, B.
dc.contributor.authorLartigau, I.
dc.contributor.authorCarin, R.
dc.contributor.authorSimoen, Eddy
dc.contributor.authorMercha, Abdelkarim
dc.contributor.authorClaeys, Cor
dc.date.accessioned2021-10-17T10:20:05Z
dc.date.available2021-10-17T10:20:05Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.urihttps://imec-publications.be/handle/20.500.12860/14401
dc.sourceIIOimport
dc.titleIdentification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures
dc.typeOral presentation
dc.contributor.imecauthorSimoen, Eddy
dc.contributor.imecauthorMercha, Abdelkarim
dc.contributor.orcidimecSimoen, Eddy::0000-0002-5218-4046
dc.contributor.orcidimecMercha, Abdelkarim::0000-0002-2174-6958
dc.source.peerreviewno
dc.source.conferenceWorkshop 'Oxydes Fonctionnels pour l'Intégration en Micro- et Nano-électronique'
dc.source.conferencedate16/03/2008
dc.source.conferencelocationAutrans France
imec.availabilityPublished - imec


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