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Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations

dc.contributor.authorFarvacque, J. L.
dc.contributor.authorBougrioua, Zahia
dc.contributor.authorMoerman, Ingrid
dc.date.accessioned2021-10-14T16:55:40Z
dc.date.available2021-10-14T16:55:40Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.urihttps://imec-publications.be/handle/20.500.12860/5290
dc.sourceIIOimport
dc.titleMobilité dans GaN en présence de parois de dislocations
dc.typeOral presentation
dc.contributor.imecauthorMoerman, Ingrid
dc.contributor.orcidimecMoerman, Ingrid::0000-0003-2377-3674
dc.source.peerreviewno
dc.source.conferenceGDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite; 21-23 May 2001; Grenoble, France.
dc.source.conferencelocation
imec.availabilityPublished - imec


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