imec Institutional Repository Browsing {{ collection }} by Author "Boudart, B."

Publication

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à differentes températures

Boudart, B.

;

Llibre, J.F.

;

Briand, D.

;

Tala-Ighil, B.

;

Toutah, H.

;

Guhel, Y.

;

de Jaeger, J.C.

Oral presentation

2003, Journées Nationales Micro-Ondes - JNM

Publication

First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology

Werquin, M.

;

Vellas, N.

;

Guhel, Y.

;

Ducatteau, D.

;

Boudart, B.

;

Pesant, J.C.

;

Bougrioua, Z.

Journal article

2005, Microwave and Optical Technology Letters, (46) 4, p.311-315

Publication

High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate

Werquin, W.

;

Gaquiere, C.

;

Guhel, Y.

;

Vellas, N.

;

Theron, D.

;

Boudart, B.

;

Hoel, V.

;

Germain, Marianne

Journal article

2005, Electronics Letters, (41) 1, p.46-47

Publication

High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate at Ft=4GHz

Vellas, N.

;

Gaquire, C.

;

Guhel, Y.

;

Werquin, M.

;

Ducatteau, D.

;

Boudart, B.

;

de Jaeger, J.C.

Proceedings paper

2002, Proceedings of the IEEE GaAs 2002 Conference, 23/09/2002, p.25-28

Publication

Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps

Guhel, Y.

;

Boudart, B.

;

Vellas, N.

;

Gaquiere, C.

;

Delos, E.

;

Ducatteau, D.

;

Bougrioua, Z.

Journal article

2005, Solid-State Electronics, (19) 10, p.1589-1594

Publication

Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en regime statique d'un HEMT AlGaN/GaN

Guhel, Y.

;

Boudart, B.

;

Vellas, N.

;

Gaquiere, C.

;

Delos, E.

;

Ducateau, D.

;

Bougrioua, Z.

Oral presentation

2003, Journées Nationales Micro-Ondes - JNM

Publication

On the effects of a pressure iInduced amorphous silicon layer on consecutive spreading resistance microscopy scans of doped silicon

Coq Germanicus, Rosine

;

Leclère, Philippe

;

Guhel, Y.

;

Boudart, B.

;

Touboul, A. D.

;

Descamps, P.

Journal article

2015, Journal of Applied Physics, (117) 24, p.244306

Publication

Premiers résultats de puissance à 4GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar

Vellas, N.

;

Guhel, Y.

;

Gaquiere, C.

;

Boudart, B.

;

Pesant, J.C.

;

Bougrioua, Z.

;

Germain, Marianne

Oral presentation

2003, Journées Nationales Micro-Ondes

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