Browsing by author "Guhel, Y."

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à differentes températures

Boudart, B.; Llibre, J.F.; Briand, D.; Tala-Ighil, B.; Toutah, H.; Guhel, Y.; de Jaeger, J.C.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne; Moerman, Ingrid (2003)

First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology

Werquin, M.; Vellas, N.; Guhel, Y.; Ducatteau, D.; Boudart, B.; Pesant, J.C.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne; de Jaeger, J.C.; Gaquiere, C. (2005)

High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate

Werquin, W.; Gaquiere, C.; Guhel, Y.; Vellas, N.; Theron, D.; Boudart, B.; Hoel, V.; Germain, Marianne; de Jaeger, J.C.; Delage, S. (2005)

High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate at Ft=4GHz

Vellas, N.; Gaquire, C.; Guhel, Y.; Werquin, M.; Ducatteau, D.; Boudart, B.; de Jaeger, J.C.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne; Leys, Maarten; Moerman, Ingrid; Borghs, Gustaaf (2002)

Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps

Guhel, Y.; Boudart, B.; Vellas, N.; Gaquiere, C.; Delos, E.; Ducatteau, D.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne (2005)

Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en regime statique d'un HEMT AlGaN/GaN

Guhel, Y.; Boudart, B.; Vellas, N.; Gaquiere, C.; Delos, E.; Ducateau, D.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne; de Jaeger, J.C. (2003)

On the effects of a pressure iInduced amorphous silicon layer on consecutive spreading resistance microscopy scans of doped silicon

Coq Germanicus, Rosine; Leclère, Philippe; Guhel, Y.; Boudart, B.; Touboul, A. D.; Descamps, P.; Hug, E.; Eyben, Pierre (2015)

Premiers résultats de puissance à 4GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar

Vellas, N.; Guhel, Y.; Gaquiere, C.; Boudart, B.; Pesant, J.C.; Bougrioua, Z.; Germain, Marianne; de Jaeger, J.C. (2003)