Publication:

Demonstration of scaled 0.099μm² FinFET 6T-SRAM cell using full-field EUV lithography for (Sub-)22nm node single-patterning technology

Date

2009

Proceedings Paper

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Files

19069.pdf 4.85 MB

Author(s)

Veloso, Anabela

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Demuynck, Steven

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Ercken, Monique

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Goethals, Mieke

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Locorotondo, Sabrina

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Lazzarino, Frederic

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Altamirano Sanchez, Efrain

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De Keersgieter, An

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Struyf, Herbert

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De Backer, Johan

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Delvaux, Christie

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Baudemprez, Bart

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Vandeweyer, Tom

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Van Roey, Frieda

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Baerts, Christina

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Goossens, Danny

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Dekkers, Harold

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Kellens, Kristof

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Hikavyy, Andriy

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Vrancken, Christa

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Rakowski, Michal

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Verhaegen, Staf

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Pigneret, Charles

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van Dijk, Andre

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Schreutelkamp, Rob

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Cockburn, Andrew

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Gravey, Virginie

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Rajagopalan, R.

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Richard, Olivier

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Vandenberghe, Geert

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Absil, Philippe

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Hoffmann, Thomas Y.

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Biesemans, Serge

Statistics

1 since deposited on 2021-10-18

Acq. date: 2026-08-06

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