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Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures
Publication:
Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures
Date
2008
Presentation
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Basic data
APA
Chicago
Harvard
IEEE
Basic data
APA
Chicago
Harvard
IEEE
Author(s)
Routoure, J.M.
;
Guo, W.
;
Cretu, B.
;
Lartigau, I.
;
Carin, R.
;
Simoen, Eddy
;
Mercha, Abdelkarim
;
Claeys, Cor
Journal
Abstract
Description
Metrics
Views
1988
since deposited on 2021-10-17
2
last month
Acq. date: 2025-12-09
Citations
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