Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures

dc.contributor.author	Routoure, J.M.
dc.contributor.author	Guo, W.
dc.contributor.author	Cretu, B.
dc.contributor.author	Lartigau, I.
dc.contributor.author	Carin, R.
dc.contributor.author	Simoen, Eddy
dc.contributor.author	Mercha, Abdelkarim
dc.contributor.author	Claeys, Cor
dc.contributor.imecauthor	Simoen, Eddy
dc.contributor.imecauthor	Mercha, Abdelkarim
dc.contributor.orcidimec	Simoen, Eddy::0000-0002-5218-4046
dc.contributor.orcidimec	Mercha, Abdelkarim::0000-0002-2174-6958
dc.date.accessioned	2021-10-17T10:20:05Z
dc.date.available	2021-10-17T10:20:05Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.uri	https://imec-publications.be/handle/20.500.12860/14401
dc.source.conference	Workshop 'Oxydes Fonctionnels pour l'Intégration en Micro- et Nano-électronique'
dc.source.conferencedate	16/03/2008
dc.source.conferencelocation	Autrans France
dc.title	Identification de niveaux pièges dans les oxydes de transistors MOS par des mesures de bruit basse-fréquence à différentes températures
dc.type	Oral presentation
dspace.entity.type	Publication
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